摩根士丹利看好DRAM胜过NAND，预测NAND需求将在2027年达到609EB短缺9% 具有较高定价权及获利韧性

具有较高定价权及获利韧性。摩根2027年短缺9%。士丹M胜在NAND产业链方面，求将缺长期供货协议已逐渐改变记忆体价格波动模式，年达AI驱动的到EB短NAND需求将从2025年的205EB激增至2026年的400EB及2027年的609EB，报告指出，摩根NAND和DRAM均将迎来需求的士丹M胜结构性重塑。以及未来HBM4E生产可能进一步收紧供应。求将缺年增率达60%。年达DRAM相较于NAND具备四项优势：成熟的到EB短长期合约机制、受限的摩根先进制造产能限制供给扩张，摩根士丹利因此看好DRAM胜过NAND。士丹M胜摩根士丹利7月5日发布报告预测，求将缺随着AI大模型训练和推理对存储带宽和容量的年达要求持续攀升，到EB短 供应商与大型客户签订的合约通常设有价格上下限，大摩建议优先布局原厂而非模组厂，来自AI与服务器的更强需求能见度、报告指出，这将导致2026年NAND供应短缺15%、使获利及现金流稳定度较以往大幅提升。原因在于原厂掌握晶圆产能与供给节奏，